-
IPD031N06L3G шинэ оригинал Цахим бүрэлдэхүүн хэсэг ic чип MCU BOM үйлчилгээ IPD031N06L3G нөөцөд байна
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 60 В гүйдэл – 25°C-д 100А (Tc)-д тасралтгүй цутгах (Id) Хөдөлгүүрийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 мОм @ 100А... -
IMZA65R072M1H IC чип Транзистор Цахим бүрэлдэхүүн хэсэг Нэгдсэн хэлхээний конденсатор IMZA65R072M1H
Бүтээгдэхүүний шинж чанарууд ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series - Багц хоолой Бүтээгдэхүүний байдал Идэвхтэй FET Төрөл - Технологи - Одоогийн – Тасралтгүй ус зайлуулах (Id) @ 25°C 28A Хүчдэл (TxMa) Асаалттай, Хамгийн бага Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Макс) - FET Онцлог - Эрчим хүчний зарцуулалт (Макс) - Ашиглалтын температур - Үндсэн бүтээгдэхүүний дугаар IMZA6.. . -
Үнийн жагсаалт IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N нэгдсэн хэлхээ
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Диод – Шулуутгагч – Массив Mfr Infineon Technologies цуврал Rapid 2 багц хоолой Бүтээгдэхүүний байдал Идэвхтэй диодын тохиргоо 1 хос Энгийн катодын диодын төрөл Стандарт хүчдэл – Урвуу гүйдэл Vr (Vr6) Io) (диод тутамд) 15А хүчдэл – Урагшаа (Vf) (Макс) @ Хэрэв 2.2 В @ 15 A Хурд хурдан сэргэлт =< 500 ns, > 200mA (Io) Урвуу сэргэлт... -
KWM анхны шинэ BSZ100 транзистор PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS нэгдсэн хэлхээний IC чип нөөцөд байна
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 60 В гүйдэл – 25°C-д 40А (Tc)-д тасралтгүй цутгах (Id) Хөдөлгүүрийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20А, 10В... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC чип шинэ эх нэгдсэн хэлхээ
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 25 В гүйдэл – 25°C-д тасралтгүй ус зайлуулах (Id) 12А (Ta), 40А (Tc) Хөтчийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 4.5V, 10V Rds On (Макс) @ Id, Vgs 6мОм... -
(STOCK) BSS138NH6327 шинэ&оригинал Цахим эд анги халуун бүтээгдэхүүн
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series SIPMOS® багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (OFETtalMe) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 60 В гүйдэл – 25°C-т 230мА (Та)-д тасралтгүй цутгах (Id) Хөдөлгүүрийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ом @ 230мА... -
Жинхэнэ шинэ MOSFET транзистор диод тиристор SOT-223 BSP125H6327 IC чип электрон бүрэлдэхүүн хэсэг
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series SIPMOS® багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (OFETtalMe) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 600 В гүйдэл – 25°C-д тасралтгүй ус зайлуулах (Id) 120мА (Та) Хөтчийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120мА... -
Цоо шинэ оригинал MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 30 В гүйдэл – 25°C-д 23А (Ta), 100А (Tc) Үргэлжилсэн ус зайлуулах (Id) (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8м... -
Шинэ нөөцөд байгаа нэгдсэн хэлхээний TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic чип
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 100 В гүйдэл – 25°C-д тасралтгүй ус зайлуулах (Id) 8.8A (Ta), 42А (Tc) Хөтчийн хүчдэл (Макс Rds асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16мОh... -
Шинэ, анхны BSC100N06LS3G нэгдсэн хэлхээ
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 60 В гүйдэл – 25°C-д тасралтгүй ус зайлуулах (Id) 12А (Та), 50А (Tc) Хөтчийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 4.5V, 10V Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10mOh... -
BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic чип анхны электрон бүрэлдэхүүн хэсэг
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 100 В гүйдэл – 25°C-т 90А (Tc)-д тасралтгүй цутгах (Id) Хөдөлгүүрийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50А, 10В... -
AQX BSC060N10NS3G Шинэ, анхны нэгдсэн хэлхээний чип BSC060N10NS3G Бүтээгдэхүүний шинж чанарууд
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 100 В гүйдэл – 25°C-д тасралтгүй ус зайлуулах (Id) 14.9A (Ta), 90A (Tc) Хөтчийн хүчдэл (Макс Rds асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOh...
