-
Шинэ, анхны цахим бүрэлдэхүүн хэсэг IRF7103TRPBF IC чип
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРЛИЙН ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Массив Mfr Infineon Technologies цуврал HEXFET® багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type (2 N-Chet) Онцлог шинж чанар Стандарт эх үүсвэр рүү залгах хүчдэл (Vdss) 30V гүйдэл – 25°C-т 6.5А Rds-д тасралтгүй цутгах (Id) @ Id-д 6.5А Rds асаалттай (Макс) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250 Хаалганы цэнэг (Qg) (Хамгийн их... -
IRF7103TRPBF шинэ, анхны нэгдсэн хэлхээний IC чип IRF7103TRPBF
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРЛИЙН ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Массив Mfr Infineon Technologies цуврал HEXFET® багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type (2 N-Chet) Онцлог шинж чанар Стандарт эх үүсвэрт цутгах хүчдэл (Vdss) 50V гүйдэл – 25°C-т 3A Rds-д тасралтгүй ус зайлуулах (Id) @ Id @ Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA (Qg) (Макс) @... -
IRF7103TRPBF шинэ, анхны нэгдсэн хэлхээний IC чип IRF7103TRPBF
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРЛИЙН ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Массив Mfr Infineon Technologies цуврал HEXFET® багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type (2 N-Chet) Онцлог шинж чанар Стандарт эх үүсвэрт цутгах хүчдэл (Vdss) 50V гүйдэл – 25°C-т 3A Rds-д тасралтгүй ус зайлуулах (Id) @ Id @ Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA (Qg) (Макс) @... -
IRF4905STRLPBF Шинэ & Жинхэнэ электрон бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн IC чипийн BOM үйлчилгээ нөөцөд байна IRF4905STRLPBF
Бүтээгдэхүүний шинж чанарууд ТӨРЛИЙН ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type P-FETtal технологи (OFETtalMe) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 55 В гүйдэл – 25°C-т 42А (Tc)-д тасралтгүй ус зайлуулах (Id) (Tc) Хөтчийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V Vg... -
Цоо шинэ анхны электрон бүрэлдэхүүн хэсгүүд IC чип IRF3205STRLPBF нэгдсэн хэлхээ
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-FETtal технологи (OFETtalMe) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 55 В гүйдэл – 25°C-д тасралтгүй ус зайлуулах (Id) 110A (Tc) Хөтчийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V Vg... -
IRF100S201 давуу талтай нийлүүлэлтийн хувьцаа IRF100S201-д зориулсан шинэ оригинал ухаалаг IC чипс BOM үйлчилгээ
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET®, StrongIRFET™ багц соронзон хальс (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® FETOS-ийн Технологийн төрөл NFETOS Active (Металлын оксид) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 100 В гүйдэл – 25°C-т тасралтгүй цутгах (Id) 192A (Tc) Хөтчийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Өө... -
IPW60R099P7 нөөцөд байгаа шинэ эх хурдан шуурхай хүргэлттэй IC чип IPW60R099P7-д зориулсан цахим бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн BOM үйлчилгээ
Бүтээгдэхүүний шинж чанарууд ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Нэгдсэн хэлхээ (ICs) Тусгайлсан ICs Mfr Infineon Technologies цуврал - Багц Бөөн бүтээгдэхүүний төлөв Идэвхтэй баримт бичиг ба медиа НӨӨЦИЙН ТӨРӨЛ ХОЛБООС өгөгдлийн хуудас IPW60R099P7 Мэдээллийн хуудас Байгаль орчны & Экспортын ECRRITTESB9899995 .29.0095 Нэмэлт нөөцүүд АТРИБУТ ТОДОРХОЙЛОЛТ Бусад нэрс 2156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Стандарт багц 1 Нэгдсэн тойрог... -
IPD135N08N3G Өндөр чанартай цоо шинэ нэгдсэн хэлхээ
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Бүтээгдэхүүний байдал Хуучирсан FET төрөл N-сувгийн технологи MOSFET (метал исэлд нэвчих хэмжээ (0V8)) V гүйдэл – 25°C-д 45А (Tc)-д тасралтгүй цутгах (Id) Хөдөлгүүрийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 45A, 10V Vgs(th) ( Макс) @ Id... -
IPD036N04LG Чанартай, шинэ, оригинал, маш сайн борлуулалттай ICS
Бүтээгдэхүүний шинж чанарууд ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ 3 багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Active FET Technology Type N-FETtalMe Оксид) Эх үүсвэр рүү урсгах хүчдэл (Vdss) 40 В гүйдэл – 25°C-т 90А (Tc)-д тасралтгүй цутгах (Id) Хөдөлгүүрийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6мОм @ 90А... -
TO-252 IPD33CN10NG өндөр чанарын чиптэй транзистор шинэ, анхны үнэ
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 100 В гүйдэл – 25°C-т 27А (Tc)-д тасралтгүй цутгах (Id) (Tc) Хөдөлгүүрийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Хамгийн бага Rds Асаалттай) 10В Rds On (Макс) @ Id, Vgs 33mOhm @ 27A, 10V ... -
IPD031N06L3G шинэ оригинал Цахим бүрэлдэхүүн хэсэг ic чип MCU BOM үйлчилгээ IPD031N06L3G нөөцөд байна
Бүтээгдэхүүний шинж чанар ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ багц соронзон хальс ба ороомог (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Бүтээгдэхүүний статус Идэвхтэй FET Type N-ChannelMe (MtalMe Technology) ) Эх үүсвэр рүү цутгах хүчдэл (Vdss) 60 В гүйдэл – 25°C-д 100А (Tc)-д тасралтгүй цутгах (Id) Хөдөлгүүрийн хүчдэл (Макс Rds Асаалттай, Мин Rds Асаалттай) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 мОм @ 100А... -
IMZA65R072M1H IC чип Транзистор Цахим бүрэлдэхүүн хэсэг Нэгдсэн хэлхээний конденсатор IMZA65R072M1H
Бүтээгдэхүүний шинж чанарууд ТӨРӨЛ ТОДОРХОЙЛОЛТ Ангилал Дискрет хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн Транзистор – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series - Багц хоолой Бүтээгдэхүүний байдал Идэвхтэй FET Төрөл - Технологи - Одоогийн – Тасралтгүй ус зайлуулах (Id) @ 25°C 28A Хүчдэл (TxMa) Асаалттай, Хамгийн бага Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Макс) - FET Онцлог - Эрчим хүчний зарцуулалт (Макс) - Ашиглалтын температур - Үндсэн бүтээгдэхүүний дугаар IMZA6.. .
